На этой неделе исследовательский отдел компании IBM представил новую оптическую технологию хранения данных Phase-Change Memory (PCM), которая может прийти на смену традиционной оперативной и флэш-памяти в будущих смартфонах. Суть технологии заключается в использовании электрического тока для записи и чтения данных из аморфного стекла. До сегодняшнего дня данный метод был слишком дорогим для массового использования в смартфонах и других мобильных устройствах, но исследователям IBM удалось усовершенствовать эту технологию и существенно снизить расходы.

Технология Phase-Change Memory использовалась в оптических дисках и других компонентах в течение 15 лет. Специалисты IBM не только смогли удешевить её, но и разработали метод сохранения 3-битных данных в одну ячейку даже при более высоких температурах окружающей среды.

В отличие от традиционной оперативной памяти, PCM не теряет данные при отключении питания. Использование PCM и флэш-памяти позволяет моментально создавать кэш. В IBM уверяют, что если записать операционную систему смартфона на PCM, то устройство будет загружаться в считанные секунды.

"Материалы PCM обладают двумя устойчивыми состояниями: аморфным (без чётко определенной структуры) и кристаллическим (структурным) с низкой и высокой электропроводностью соответственно. Чтобы сохранить "0" или "1", известные как биты, на ячейку PCM подаётся электрический ток  высокого или среднего напряжения. Значение "0" может быть запрограммировано для записи в аморфной фазе, а "1" - в кристаллической, или наоборот", - объяснили в IBM.

К сожалению, о сроках появления этой технологии в коммерческих устройствах пока ничего неизвестно.

Источник: 4pda.ru